GaN　HEMT作为功率、射频器件,是5G通信中核心关键器件。然而,目前其应用可靠性方面仍受到陷阱效应和自热效应的制约。提出了瞬态时间常数谱峰值谱技术的表征技术,有效并定量获取GaN基器件中存在的陷阱及温升构成,主要包括应用瞬态电流法表征器件的深能级陷阱和利用结构函数法提取器件纵向热阻构成的谱值化技术。结合国内外相关研究工作,对这种分析表征手段进行了相关的归纳和总结。给出高达50　V工作电压下HEMT器件的热阻测量结果,对其纵向热阻构成进行了详细地分析。