为了提高倒装发光二极管　(LED)　光提取效率的同时实现单偏振光输出,　建立了正装、倒装和集成金属亚波长光栅倒装LED　3种模型,　采用RSOFT软件进行仿真对比及器件优化,　并进行了理论分析和模拟验证.结果表明,　倒装LED虽然可以提高光提取效率但对P-GaN层厚非常敏感,　无法单偏振光输出;集成了金属亚波长光栅的倒装LED可以不受P-GaN层厚影响,　实现单偏振光输出,　但要输出稳定偏振光,　受光栅参量和介质过渡层厚度影响非常显著;优化后的结构可以实现57.63％的光提取效率,　偏振消光比达到25.8dB.该研究对制造高性能蓝光LED具有一定的指导作用.