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采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)低温处理和高温快速退火的技术,研究了退火条件对SiO_2/4H-SiC界面态密度的影响。在n型4H-SiC外延片上高温干氧氧化50 nm厚的SiO_2层并经N_2原位退火,随后在PECVD炉中对样品进行350℃退火气氛为PH_3,N_2O,H_2和N_2的后退火处理,之后进行高温快速退火,最后制备Al电极4H-SiC MOS电容。I-V和C-V测试结果表明,各样品的氧化层击穿场强均大于9 MV/cm,PH_3处理可以降低界面有效负电荷和近界面氧化层陷阱电荷,但PH_3处理样品的界面态密度比N_2O处理的结果要高。经N_2O氛围PECVD后退火样品在距离...
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