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Mg掺杂浓度对射频磁控溅射制备Ga2O3薄膜性质的影响
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本文使用射频磁控溅射法,采用双靶磁控溅射系统,通过Ga2O3和MgO两个靶位交替溅射的方法实现不同浓度Mg掺杂氧化镓薄膜的制备.结果发现随着Mg掺杂浓度的增加,薄膜的厚度逐渐减小且薄膜的结晶质量有所下降,光透过率无明显变化,但带隙宽度逐渐增加,可实现Ga2O3薄膜带隙宽度的连续可调,可调范围从4.96eV到5.21eV;光致发光光谱实验结果表明Mg的掺杂导致PL峰值发生蓝移现象,且在473nm附近出现一个新的发光峰.
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来源 ：
真空
ISSN： 1002-0322
年份： 2018
期： 6
卷： 55
页码： 68-72
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