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[期刊论文]

4×15 Gbit/s 850 nm垂直腔面发射激光器列阵

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Author:

吕朝晨 (吕朝晨.) | 王青 (王青.) | 尧舜 (尧舜.) | Unfold

Indexed by:

CQVIP PKU CSCD

Abstract:

采用金属有机物化学气相沉积设备生长InGaAs/AlGaAs应变多量子阱有源区和双氧化限制层的外延整体结构,利用断点监控电感耦合等离子体刻蚀技术、精确湿法氧化控制技术等芯片制造技术,实现了氧化孔径为7μm、相邻单元间隔为250μm的高速调制4×15Gbit/s 850nm垂直腔面发射激光器(VCSEL)列阵。测试得到了VCSEL列阵的静态特性和动态特性:阈值电流为0.7 mA,斜效率为0.8 W/A;在6 mA工作电流下,工作电压为2.3V,光功率为4.5mW。在15Gbit/s调制速率下,眼图轮廓清晰,线迹很细,抖动较小且无明显串扰。对比列阵各单元在15Gbit/s调制速率下眼图的上升时间、...

Keyword:

静态和动态特性 金属有机物化学气相沉积 激光光学 芯片工艺 激光器 外延结构 高速调制垂直腔面发射激光器列阵

Author Community:

  • [ 1 ] 北京工业大学激光工程研究院
  • [ 2 ] 上海交通大学区域光纤通信网与新型光通信系统国家重点实验室
  • [ 3 ] 华芯半导体科技有限公司

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Source :

光学学报

Year: 2018

Issue: 05

Volume: 38

Page: 149-155

Cited Count:

WoS CC Cited Count: 0

30 Days PV: 2

Online/Total:326/5790692
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