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收录:

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摘要:

采用金属有机物化学气相沉积设备生长InGaAs/AlGaAs应变多量子阱有源区和双氧化限制层的外延整体结构,利用断点监控电感耦合等离子体刻蚀技术、精确湿法氧化控制技术等芯片制造技术,实现了氧化孔径为7μm、相邻单元间隔为250μm的高速调制4×15Gbit/s 850nm垂直腔面发射激光器(VCSEL)列阵。测试得到了VCSEL列阵的静态特性和动态特性:阈值电流为0.7 mA,斜效率为0.8 W/A;在6 mA工作电流下,工作电压为2.3V,光功率为4.5mW。在15Gbit/s调制速率下,眼图轮廓清晰,线迹很细,抖动较小且无明显串扰。对比列阵各单元在15Gbit/s调制速率下眼图的上升时间、...

关键词:

外延结构 激光光学 激光器 芯片工艺 金属有机物化学气相沉积 静态和动态特性 高速调制垂直腔面发射激光器列阵

作者机构:

  • [ 1 ] 北京工业大学激光工程研究院
  • [ 2 ] 上海交通大学区域光纤通信网与新型光通信系统国家重点实验室
  • [ 3 ] 华芯半导体科技有限公司

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来源 :

光学学报

年份: 2018

期: 05

卷: 38

页码: 149-155

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