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在赝势法密度泛函理论的基础上,系统研究了Na掺杂对TiO_2基材料电子结构、载流子迁移和光吸收性质的影响。纯的TiO_2基晶态材料呈现宽的直接带隙,其带隙宽度达2.438 eV,Na掺杂降低了TiO_2基晶态材料的带隙至1.976 eV。纯的TiO_2电子主要形成五个能带,而Na掺杂TiO_2主要形成七个能带。TiO_2材料的载流子迁移率较Na掺杂TiO_2材料高,而Na掺杂TiO_2材料载流子有效质量较TiO_2的高。Na掺杂在TiO_2材料价带中引入空穴和新的能级。Na掺杂大大提高了TiO_2材料的载流子浓度,Ti中的p态电子,Na中的p态电子和O中的p态电子在导电过程中起着关键作用。Na...
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