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一种高Q值高线性度SiGe HBT有源电感
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提出了一种高Q值、高线性度SiGe HBT有源电感。基于NPN SiGe HBT共发射极-共基极-共集电极结构,引入有源负阻网络,以提高有源电感的Q值。采用前馈电流源,提高了有源电感的线性度。基于0.35μm SiGe BiCMOS工艺对有源电感进行了仿真验证,并分析了该有源电感的电感值、Q值以及线性度。该有源电感适用于对Q值、线性度要求较高的射频电路。
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来源 ：
微电子学
年份： 2018
期： 03
卷： 48
页码： 344-347
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