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作者:

许迪迪 (许迪迪.) | 张小玲 (张小玲.) | 齐浩淳 (齐浩淳.) | 谢雪松 (谢雪松.)

收录:

CQVIP PKU CSCD

摘要:

功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的热不稳定现象,限制了MOSFET的安全工作区。为得到符合实际的安全工作区,建立了一种分析模型,综合考虑了电流温度系数、热阻等因素,分析解释热不稳定产生条件,通过与实验数据的对比,证明了模型的正确性,得到了更符合实际的安全工作区。

关键词:

安全工作区 热不稳定 金属氧化物半导体场效应晶体管

作者机构:

  • [ 1 ] 北京工业大学信息学部
  • [ 2 ] 华峰测控技术(天津)有限责任公司
  • [ 3 ] 中国人民解放军68129部队

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来源 :

电力电子技术

年份: 2018

期: 08

卷: 52

页码: 70-72

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