高级检索
检索提示：高级检索多个条件检索时是按照顺序运算的：如 A或B与C 即:(A或B)与C
[期刊论文]
940nm大功率半导体激光器后工艺优化
作者：
收录：
摘要：
波长为940nm的大功率半导体激光器是基于Yb∶YAG激光器的重要泵浦光源。为了制备高输出功率的940nm半导体激光器,基于非对称超大光腔波导外延结构,对芯片后制备工艺进行了优化。在芯片的侧向,引入了隔离双沟结构,以实现对侧向电流扩展的有效抑制,从而提高器件的性能。通过优化双沟的间距和深度,并结合长腔长结构,制备的940nm半导体激光器在室温且未采取任何主动散热的条件下,最高出光功率达到20.3W。
关键词：
作者机构：
通讯作者信息：
电子邮件地址：
相关关键词：
相关文章：
2003，中国电子商情
2017，光电技术应用
2013，第三届激光先进制造技术应用研讨会
2000，光电子·激光
来源 ：
半导体光电
年份： 2018
期： 05
卷： 39
页码： 612-615,622
被引次数：
WoS核心集被引频次： 0
SCOPUS被引频次：
ESI高被引论文在榜： 0 展开所有
万方被引频次：
中文被引频次：
近30日浏览量： 3
归属院系：
信息学部 电子科学与技术学院（微电子学院）
全文获取
外部链接：
