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基底温度和离子源能量对薄膜应力的影响
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在不同的基底温度和离子源能量下,采用电子束蒸发方法在GaAs基底上分别制备了SiO_2、TiO_2和Al_2O_3光学薄膜。测量了所制备薄膜的表面应力,并对不同离子源能量下薄膜的折射率进行了测试。结果表明,三种光学薄膜的表面应力呈不均匀分布,通过调节基底温度和离子源能量能有效减小薄膜应力,SiO_2、TiO_2和Al_2O_3薄膜的平均应力最小值分别为2.9,8.4,25.1MPa。
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来源 ：
激光与光电子学进展
年份： 2018
期： 09
卷： 55
页码： 458-464
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