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董建 (董建.) | 何晓颖 (何晓颖.) | 胡帅 (胡帅.) | 何艳 (何艳.) | 吕本顺 (吕本顺.) | 李冲 (李冲.) | 郭霞 (郭霞.) (Scholars:郭霞)

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CQVIP PKU

Abstract:

垂直腔面发射激光器(VCSEL)以其低功耗、低阈值电流、高调制速率和易制作二维阵列器件等特点,广泛应用于短距离光互连领域。湿法腐蚀和干法刻蚀作为高速VCSEL台面结构制备的两种工艺,影响VCSEL氧化层的大小。文章研究了氧化层面积对寄生电容的影响,并计算得到7μm氧化孔径下采用干法刻蚀工艺的垂直腔面发射激光器,相比较湿法腐蚀工艺,氧化层电容由902.23fF减小至581.32fF,谐振腔电容由320.72fF减小至206.65fF。通过对采用湿法腐蚀和干法刻蚀工艺制备的GaAs量子阱结构高速VCSEL进行小信号调制响应测试,结果表明,7μm氧化孔径下干法刻蚀VCSEL小信号调制带宽提高至16....

Keyword:

垂直腔面发射激光器 高速调制 湿法腐蚀 干法刻蚀

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  • [ 1 ] 北京邮电大学电子工程学院
  • [ 2 ] 北京工业大学信息学部

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Source :

半导体光电

Year: 2017

Issue: 06

Volume: 38

Page: 826-829

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