采用金属有机物化学气相沉积设备生长InGaAs/AlGaAs应变多量子阱有源区和双氧化限制层的外延整体结构,利用断点监控电感耦合等离子体刻蚀技术、精确湿法氧化控制技术等芯片制造技术,实现了氧化孔径为　7　μm、相邻单元间隔为250　μm的高速调制4×　15　Gbit/s　850　nm垂直腔面发射激光器(VCSEL)列阵.测试得到了　VCSEL列阵的静态特性和动态特性:阈值电流为0.7　mA,斜效率为0.8　W/A;在6　mA工作电流下,工作电压为　2.3　V,光功率为4.5　mW.在15　Gbit/s调制速率下,眼图轮廓清晰,线迹很细,抖动较小且无明显串扰.对比列阵各单元在15　Gbit/s调制速率下眼图的上升时间、下降时间、信噪比、均方根抖动等相关参数,结果表明其动态性能的一致性良好.利用箱线图分析得出外延片上VCSEL器件性能的一致性能良好,能够满足批量生产的要求.