通过金属有机化学气相淀积(MOCVD)和半导体后工艺技术制备了852　nm半导体激光器,它在室温下的阈值电流为57.5　m　A,输出的光谱线宽小于1　nm。测试分析了激光器的输出光功率、阈值电流、电压、输出中心波长随温度的变化。测试结果表明,当温度变化范围为293~328　K时,阈值电流的变化速率为0.447m　A/K,特征温度T0为142.25　K,输出的光功率变化率为0.63　m　W/K。通过计算求得理想因子n为2.11,激光器热阻为77.7　K/W,中心波长漂移速率是0.249　29　nm/K,实验得出的中心波长漂移速率与理论计算结果相符。实验结果表明,该半导体器件在293~303　K的...