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β-Ga2O3薄膜掺杂工艺及性能研究进展
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β-Ga2O3薄膜因其禁带宽度大,稳定性高,生产成本低等优势,被认为是在光电探测器、发光器件等领域非常有前景的材料之一.但β-Ga2O3较低的导电率限制了其在某些领域的应用,通过掺杂技术改进β-Ga2O3薄膜在光学和电学的性能吸引了大量科研者的目光.本文介绍了几种常用的掺杂手段及掺杂对β-Ga2O3薄膜结构和光电特性的影响,并对以后的研究工作进行了展望.
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来源 ：
人工晶体学报
ISSN： 1000-985X
年份： 2017
期： 9
卷： 46
页码： 1683-1690
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