采用射频磁控溅射法制备了氧化镓(Ga2O3)薄膜,计算了薄膜的O/Ga摩尔比,比值为1.57.研究了后退火对薄膜结构,形貌特征和光学带隙的影响.X射线衍射(XRD)结果表明,退火前的Ga2O3薄膜是一种无定形结构.在600℃氧气氛中退火2h后,薄膜开始出现β-Ga2O3的(401)衍射峰;随着退火温度的升高,β-Ga2O3(401)衍射峰进一步增强,并且半高宽从0.61°减小到0.49°.原子力显微镜(AFM)测试结果表明,退火前后薄膜表面的均方根粗糙度从3.47　nm增加到了7.08　nm,晶粒尺寸从19　nm增加到了53　nm.紫外-可见分光光度计(UV-VIS)测试结果表明Ga2O3薄膜在250　nm-1500　nm波长范围内的平均透过率在85％以上.利用Tauc公式计算了Ga2O3薄膜的光学带隙,带隙宽度在(4.85-5.06)　eV之间,且随退火温度增加而减小.分析了表面形貌、光学带隙与薄膜结构之间的关系.