为使SiC　MOSFET在应用中安全可靠的工作,通过对SiC　MOSFET开关特性的分析,设计了一种SiC　MOSFET驱动电路.该电路具有结构简单、实用性强、速度快、输出功率大等特点.另外,在高功率、高频等特殊环境下工作,为了提高SiC　MOSFET的可靠性,还对器件过载保护电路进行研究.通过Pspice软件仿真实验,发现过载保护电路可以有效地保护器件不受损坏.最后,搭建双脉冲实验平台,验证驱动电路的基本功能并测试采用不同栅极电阻时对SiC　MOSFET开关特性的影响.实验结果表明:该电路具有良好的驱动能力.