In　this　paper,　the　influence　of　Sn　doping　(0%,　8%,　and　14%)　on　the　crystallization　of　Ge2Sb2Te5　(GST)　was　studied　with　the　aid　of　an　ultraviolet　laser.　It　was　found　that　the　addition　of　Sn　element　not　only　expanded　the　lattice　parameter　but　also　decreased　the　crystallization　temperature　and　activation　energy　as　compared　to　the　GST.　As　compared　to　the　Ge2Sb2Te5,　a　more　complete　crystallization　of　the　Sn　doping　Ge2Sb2Te5　is　mainly　due　to　the　lower　binding　energy　of　Sn-Te　(359.8　kJ/mop,　which　could　be　more　easily　taken　part　in　the　bond　breakage　and　formation　than　Ge-Te　(456　kJ/mol)　in　such　a　short　time　as　30　ns.　The　equiaxial　grains　were　obtained　for　the　Sn5Ge15Sb23Te54　films　when　crystallization　was　induced　by　the　laser　fluence　of　20　mJ/cm(2)　but　the　grains　elongated　when　the　laser　fluence　was　increased　to　60　mJ/cm2.　The　reason　may　be　the　incorporation　of　Sn　elements　changed　the　crystal　nucleation　mode.　(C)　2015　Elsevier　Ltd.