GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)因具有高输出功率密度、高工作频率、高工作温度等优良特性,在高频大功率等领域具有广泛应用前景.目前,HEMT器件在材料生长和工艺制备方面都取得了巨大的进步.但是,由缺陷产生的陷阱效应一直是限制其发展的重要原因.本文首先论述了HEMT器件中的表面态、界面缺陷和体缺陷所在位置及其产生的原因.然后,阐述了由陷阱效应引起的器件电流崩塌、栅延迟、漏延迟、Kink效应等现象,从器件结构设计和工艺设计角度,总结提出了改善缺陷相关问题的主要措施,其中着重总结了器件盖帽层、表面处理、钝化层和场板结构4个方面的最新研究进展.最后,探索了GaN基HEMT器件在缺陷相关问题上的未来优化方向.