200　nm　Ni　film　is　coated　on　25　mu　m　thick　Mo　foil,　and　graphene　is　grown　on　the　Ni-Mo　system　by　CVD　method.　After　the　annealing　process　of　CVD,　the　Ni/Mo　bilayer　transforms　into　Ni-Mo　alloy,　then　we　have　successfully　fabricated　MgB2　films　on　graphene/Ni-Mo　alloy　system　via　the　hybrid　physical-chemical　vapor　deposition　(HPCVD)　technique.　The　transition　temperature　T-c　onset　is　38.25　K　with　a　corresponding　transition　width　of　0.75　K.　The　average　thickness　of　MgB2　films　is　200　nm　(25%　concentration　B2H6).　The　critical　current　density　derives　from　the　magnetization　measurement　at　5　K　is,　j(c)　(5　K,　0　T)　=　9.6　+/-　106　A/cm(2).　We　can　easily　deposite　MgB2　on　graphene/Ni-Mo　alloy　system　with　a　lower　B2H6　concentration　and　less　gas　flow,　which　lays　a　good　foundation　for　depositing　MgB2　thick　films.　The　graphene　in　this　system　is　multilayer　and　with　defects,　it　may　act　like　an　intermediary　film　for　the　growth　of　MgB2,　or　a　carbon-doping　source.　(C)　2015　Elsevier　B.V.　All　rights　reserved.