作为宽禁带半导体器件,GaN基肖特基势垒二极管(SBD)有耐高压、耐高温、导通电阻小等优良特性,这使得它在电力电子等领域有广泛应用。本文首先综述了SBD发展要解决的问题;然后,介绍了GaN　SBD结构、工作原理及结构优化研究进展;接下来,总结了AlGaN/GaN　SBD结构、工作原理及结构优化研究进展,并着重从AlGaN/GaN　SBD的外延片结构、肖特基电极结构以及边缘终端结构等角度,阐述了这些结构的优化对AlGaN/GaN　SBD性能的影响;最后,对器件进一步的发展方向进行了展望。