目的　探讨长期1800　MHz电磁辐射对NIH/3T3细胞增殖能力的影响.方法　采用1800MHz电磁辐射,SAR值2　W/kg,间断暴露方式(5　min　on/10　min　off),5　h/d.对暴露60　d和138　d的细胞,进行平板克隆和软琼脂克隆实验,并采用ELISA法检测端粒酶的表达.结果　平板克隆实验中,60　d暴露组细胞的克隆形成率显著低于假暴露组(P＜0.05),而138　d暴露组细胞的克隆形成率与假暴露组无明显差异.软琼脂克隆实验中,60　d暴露组和假暴露组细胞均未见克隆形成,而138　d暴露组克隆形成率显著高于假暴露细胞.端粒酶检测结果,60　d暴露组细胞的端粒酶表达量与假暴露组无显著差异,而138　d暴露组细胞的端粒酶表达量显著高于假暴露组(P＜0.05).结论　1800　MHz电磁辐射长期暴露至60　d,有损NIH/3T3细胞的增殖能力,而更长期的暴露后(138　d)细胞转化增殖能力增强.