将增透亚波长光栅分别置于微机电系统(MEMS)波长可调谐垂直腔面发射激光器(VCSEL)的内腔、上分立布拉格反射器(DBR)的上表面和下表面,分析了其对器件波长调谐范围、驻波场和谐振腔波长的影响。通过建模计算可知,当亚波长光栅置于MEMS波长可调谐VCSEL的内腔中时,波长调谐量最大,可达54nm;光栅置于上DBR的上表面和下表面时,波长调谐量仅能达到40nm和33nm。通过分析驻波场可以发现,当亚波长光栅置于上DBR的上表面时,有源区能量占总能量的0.36%,而置于上DBR的下表面和内腔时分别为0.08%和0.02%。比较三种结构的谐振腔波长可以发现,对于光栅在内腔和上DBR的下表面时,横电...