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采用固相烧结方法制备了纯ZnO陶瓷及GZO(Ga:ZnO)陶瓷.借助拉曼光谱和X射线衍射分别对ZnO陶瓷和不同掺Ga含量的GZO陶瓷进行了测量与分析.结果表明:GZO陶瓷均保持六角纤锌矿结构,在98 cm-1,437 cm-1处分别出现ZnO的特征峰E2 (low)和E2 (high);比之纯ZnO陶瓷,在GZO陶瓷的拉曼光谱中出现了位于584 cm-1以及631 cm-1附近的新峰,位于1148 cm-1附近的E1 (LO)的倍频模随着Ga掺杂浓度的提高也发生了一些变化.对新峰的振动模归属以及掺杂后原有峰的变化进行了讨论,其中将位于631cm-1附近的拉曼峰,归因于Ga替代Zn位与O成键的局域振动模式(LVMGa-O).
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光散射学报
ISSN： 1004-5929
Year： 2016
Issue： 2
Volume： 28
Page： 144-148
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