利用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底上制备了掺Fe高阻Ga　N以及Al　Ga　N/Ga　N高电子迁移率晶体管(HEMT)结构.对Cp_2Fe流量不同的高阻Ga　N特性进行了研究.研究结果表明,Fe杂质在Ga　N材料中引入的Fe~(3+/2+)深受主能级能够补偿背景载流子浓度从而实现高阻,Fe杂质在Ga　N材料中引入更多起受主作用的刃位错,也在一定程度上补偿了背景载流子浓度.在一定范围内,Ga　N材料方块电阻随Cp_2Fe流量增加而增加,Cp_2Fe流量为100　sccm(1　sccm　1mL　min)时,方块电阻增加不再明显;另外增加Cp_2Fe流量也会导致材料质量下降,表面更加粗糙.因...