基于TSMC　0.18　μm　CMOS工艺,设计并实现了一种双频段低噪声放大器(DB-LNA).在输入级中,采用了2个LC并联谐振网络串联结构,结合PMOS管的源极负反馈电感,实现了DB-LNA在双频段的输入阻抗匹配.在放大级中,采用CMOS互补共源放大结构和电流复用技术,在提高系统增益的同时,实现了DB-LNA的低功耗.在输出级中,采用NMOS晶体管作电流源的源跟随器,对信号电压进行缓冲,实现了输出阻抗匹配.利用ADS进行仿真验证,结果表明,该低噪声放大器在1.9　GHz和2.4　GHz　2个工作频段下,其增益(S21)分别为26.69　dB和20.12dB;输入回波损耗(S11)分别为-15.45　dB和-15.38　dB;输出回波损耗(S22)分别为-16.73　dB和-20.63　dB;噪声系数(NF)分别为2.02　dB和1.77　dB;在3.5V的工作电压下,静态功耗仅有9.24　mW.