陷光结构的优化是增加硅薄膜太阳电池光吸收进而提高其效率的关键技术之一.以硅纳米线阵列为代表的光子晶体微纳陷光结构具有突破传统陷光结构Yablonovith极限的巨大潜力.通常硅纳米线阵列可以用作太阳电池的增透减反层、轴向p-n结、径向p-n结.针对以上三种应用,本文运用有限时域差分(FDTD)法系统研究了硅纳米线阵列在300—1100　nm波段的光学特性.结果表明,当硅纳米线作为太阳电池的减反层时,周期P=300　nm,高度H=1.5μm,填充率(FR)为0.282条件下时,反射率最低为7.9%.当硅纳米线作为轴向p-n结电池时,P=500　nm,H=1.5μm,FR=0.55条件下纳米线阵列...