利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上制备了GaN∶Mg薄膜。首先,对Delta掺杂p型GaN的掺杂源流量进行优化研究,研究发现在较低46cm~3/min的CP_2Mg源流量下,晶体质量和导电性能都有所改善,获得了较高空穴浓度,为8.73×10~(17)　cm~(-3),(002)和(102)面FWHM分别为245和316arcsec。随后,采用XRD、Hall测试、PL以及AFM研究了在生长过程中加入生长停顿对Delta掺杂p型GaN材料特性的影响,发现加入生长停顿后,样品电学特性、光学特性和晶体质量并未得到改善,反而下降。