针对980　nm大功率半导体激光器腔面离子铣氮钝化处理工艺进行了研究，发现腔面离子铣氮钝化可以提高激光器的输出特性及COD功率，器件输出功率提高了32.14％；老化实验后，经过氮钝化的半导体激光器没有明显退化，而未经氮钝化处理的激光器退化严重；使用俄歇谱测试仪（AES）对钝化处理后的半导体激光器试验片进行测试，发现有部分的氮离子遗留在腔面处；氮元素含量由原有的0％上升到20％，与此同时，氧元素的含量由原来的61％降至30％。结果表明，该技术能够改善半导体激光器的腔面特性，器件的可靠性和使用寿命可望得到提高。