为了研究半导体光电器件p-GaAs欧姆接触的特性，利用磁控溅射在p-GaAs上生长Ti厚度在10～50　nm范围、Pt厚度在30～60　nm范围的Ti／Pt／200　nm　Au电极结构。利用传输线模型测量了具有不同的Ti、Pt厚度的Ti／Pt／200　nm　Au电极结构接触电阻率，研究了退火参数对欧姆接触性能的影响，同时分析了过高温度导致电极金属从边缘向内部皱缩的机理。结果表明，Ti厚度为30　nm左右时接触电阻率最低，接触电阻率随着Pt厚度的增加而增加；欧姆接触质量对退火温度更敏感，退火温度达到510℃时电极金属从边缘向内部皱缩。采用40　nm　Ti／40　nm　Pt／200　nm　Au作为半导体光电器件p-GaAs电极结构，合金条件为420℃，30　s可以形成更好的欧姆接触。