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针对大光腔结构往往导致阈值电流密度增大的矛盾,设计了一种具有较高势垒高度的三量子阱有源区.采用非对称宽波导结构的半导体激光器,该激光器在实现大光腔结构的同时保持阈值电流密度不增加.通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长InGaAs/AlGaAs三量子阱有源区以及3.6 μm超大光腔半导体激光器的外延结构.结合后期工艺,制备了980 nm脊形边发射半导体激光器.在未镀膜情况下,4 mm腔长半导体激光器阈值电 流为1105.5 mA,垂直发散角为15.6°,注入电流为25 A时的最大输出功率可达到15.9 W.测试结果表明:所设计的半导体激光器在有效地拓展光场,实现大光腔结构的同时,保证了激光器具有较低的阈值电流.
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