通过反应离子刻蚀(RIE)系统地研究了射频功率、压强和气体流量对4H-Si　C刻蚀的影响,并进一步研究了刻蚀损伤对金属场板结构4H-Si　C肖特基势垒二极管电学性能的影响。研究表明,刻蚀速率和Si　C表面形貌都会受到RF功率、压强和刻蚀气体(SF6和O2)流量的影响。在高的RF功率下,观察到在Si　C表面形成的刻蚀损伤(凹陷坑和锥形坑)。研究表明,这些刻蚀损伤的形成和Si　C材料自身的缺陷有关,而且这些刻蚀损伤的存在会导致Si　C肖特基二极管正反向I-V性能发生恶化。在刻蚀损伤严重的情况下,对比正反向I-V测试结果发现,在0~50　V的绝对电压范围内,正向电流甚至远小于反向电流。