SnSe是一种潜在的极具应用前景的热电材料。采用机械合金化结合放电等离子烧结的方法制备了Ag掺杂的Sn1-xAgxSe　(0.005≤x≤0.03)多晶块体热电材料，并借助XRD、SEM、电热输运测试系统研究了其物相组成、微结构与电热输运性能。XRD分析结果表明，少量Ag(0.005≤x≤0.01)掺杂仍然能够成功制备出单相斜方结构SnSe化合物，但随着Ag掺杂量的增加，基体中出现SnAgSe2第二相，且第二相含量逐渐增加。掺杂Ag大幅度提高了载流子浓度，从而使材料的综合电输运性能(功率因子)显著提高，当Ag掺杂量x=0.02时，功率因子提高至4.95×10-4　W/(m·K2)，较未掺杂　SnSe　样品提高了36%。尽管掺杂样品的热导率均有小幅升高，无量纲热电优值(ZT)仍获得一定改善。当　Ag掺杂量x=0.02时，　Sn0.98Ag0.02Se成分样品具有较高的热电优值，并在823　K附近达到最高值0.82。