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常晓阳 (常晓阳.) | 尧舜 (尧舜.) | 杨翠柏 (杨翠柏.) | 张杨 (张杨.) | 陈丙振 (陈丙振.) | 张小宾 (张小宾.) | 张奇灵 (张奇灵.) | 王智勇 (王智勇.) (学者:王智勇)

收录:

CQVIP PKU CSCD

摘要:

采用金属有机化合物气相外延技术(MOCVD),在Ge衬底上生长GaxIn1-xP外延层,探究不同生长温度对GaxIn1-xP材料的无序生长特性的影响.为探究无序度随温度的变化规律,使用X射线衍射仪(XRD)与光致发光测试仪(PL)对外延材料进行测试,并修正由GaxIn1-xP材料组分改变引起的带隙偏移.最终根据实验现象,对实际生产中的GaInP/GaInAs/Ge三结太阳能电池进行调试,通过提高GaxIn1-xP材料的无序度,电池的Voc提高了34mV,转换效率提升0.5%.

关键词:

GaxIn1-xP 太阳能电池 无序度 生长温度

作者机构:

  • [ 1 ] [常晓阳]北京工业大学
  • [ 2 ] [尧舜]北京工业大学
  • [ 3 ] [杨翠柏]瑞德兴阳新能源技术有限公司
  • [ 4 ] [张杨]北京工业大学
  • [ 5 ] [陈丙振]北京工业大学
  • [ 6 ] [张小宾]瑞德兴阳新能源技术有限公司
  • [ 7 ] [张奇灵]北京工业大学
  • [ 8 ] [王智勇]北京工业大学

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来源 :

材料科学与工程学报

ISSN: 1673-2812

年份: 2016

期: 5

卷: 34

页码: 694-697

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