为了对980nm大功率半导体激光器的波导层和有源层外延材料进行快速表征,设计了相应的双异质结(DH)结构和量子阱(QW)结构,并在不同条件下进行了MOCVD外延生长,通过室温荧光谱测试分析,得到Al0.1Ga0.9As波导层的最佳生长温度为675℃,InGaAs　QW的最佳长温度为575℃。为了兼顾波导层需高温生长和QW层需低温生长的需求,提出在InGaAs　QW附近引入Al_(0.1)Ga_(0.9)As薄间隔层的变温停顿生长方法,通过优化间隔层的厚度,InGaAs　QW在室温下的PL谱的峰值半高宽只有23meV。基于优化的外延工艺参数,进行了980nm大功率半导体激光器的外延生长,并制备了...