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以三元稀土硼化物Ce_(1-x)Gd_xB_6为研究对象,系统研究Gd掺杂对Ce B_6阴极材料热发射性能的影响规律。采用放电等离子烧结结合光学区域熔炼法成功制备了高质量的Ce_(1-x)Gd_xB_6(x=0~0.3)单晶体。借助360度Phi扫描单晶衍射仪对生长后的单晶进行了测试,结果显示单晶质量良好。采用劳埃定向仪确定出(100)晶面,并测试了该晶面在1673 K、1773 K、1873 K下的热电子发射电流密度。测试结果表明,Ce_(0.9)Gd_(0.1)B_6成分单晶体具有最优异的热发射性能,在1873 K工作温度下,4000 V电压条件下发射电流密度达到82.3 A/cm~2,零...
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