将增透亚波长光栅分别置于微机电系统(MEMS)波长可调谐垂直腔面发射激光器(VCSEL)的内腔、上分立布拉格反射器(DBR)的上表面和下表面,分析了其对器件波长调谐范围、驻波场和谐振腔波长的影响.通过建模计算可知,当亚波长光栅置于MEMS波长可调谐VCSEL的内腔中时,波长调谐量最大,可达54　nm;光栅置于上DBR的上表面和下表面时,波长调谐量仅能达到40　nm和33　nm.通过分析驻波场可以发现,当亚波长光栅置于上DBR的上表面时,有源区能量占总能量的0.36％,而置于上DBR的下表面和内腔时分别为0.08％和0.02％.比较三种结构的谐振腔波长可以发现,对于光栅在内腔和上DBR的下表面时,横电(TE)和横磁(TM)偏振对应的谐振腔波长分别出现了8.3　nm和10.1　nm的分离,而光栅放置在上DBR的上表面时两个偏振波长并没有偏离,由此可知,光栅在内腔和上DBR的下表面实现偏振稳定原理与光栅在上DBR的上表面时是不同的.