研究硅基异质结太阳电池的表面钝化层对电池性能的影响,主要工作包括:1)对比非晶硅本征层a-Si∶H(i)与非晶硅氧本征层a-SiOx∶H(i)对c-Si界面的钝化效果的作用,及其对电池性能的影响;2)研究不同a-Si∶H(i)厚度对电池性能的影响;3)不同沉积速率a-Si∶H(i)对c-Si界面的钝化效果和电池性能的影响,并对不同沉积速率的a-Si∶H(i)膜层做了H原子含量等分析.通过该征钝化层工艺的优化,最终在156　mmX156　mm厚度200　μm的n型硅片上获得效率为20.90％的硅基异质结太阳电池,和在100　μm厚度的硅片上得到转化效率为20.44％的可弯曲电池.