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压力对NiO晶体结构及电子结构影响的理论研究

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作者:

张飞鹏 (张飞鹏.) | 杨欢 (杨欢.) | 张忻 (张忻.) | 展开

收录:

CQVIP PKU CSCD

摘要:

采用密度泛函理论的方法研究了不同压力条件下立方结构NiO氧化物的晶格结构、稳定性和电子结构。计算结果表明,NiO氧化物的晶格参数逐渐减小,键长变小,对称性保持不变;体系费米能先降低后增加;零压力下其存在着0.46 eV的间接带隙,费米能级附近的状态密度较低,随着外压力的增加,带隙先减小再增大,费米能级附近的态密度先增大再减小。分析结果表明,随着外压力的增加,NiO氧化物价带顶附近的载流子有效质量先增大再减小;导带底的载流子有效质量均较小。外界压力还改变了NiO体系的电子分布情况。

关键词:

光电子学 电子结构 NiO 压力效应

作者机构:

  • [ 1 ] 河南城建学院数理学院
  • [ 2 ] 北京工业大学材料科学与工程学院新型功能材料教育部重点实验室
  • [ 3 ] 河南城建学院土木工程学院

通讯作者信息:

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来源 :

量子电子学报

年份: 2015

期: 06

卷: 32

页码: 751-758

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