采用不同能量密度、脉冲数的248　nm准分子激光对表面为p型的GaN外延片进行辐照,再对样品进行退火处理.对激光辐照前后以及退火前后的样品进行光致发光、阴极射线谱、X射线光电子谱、霍尔效应、Ⅰ-Ⅴ曲线等表征.实验结果表明:激光辐照和N2气氛下退火相结合可以使GaN外延片的电学和发光性能均较辐照前有不同程度的提高.将改性后的GaN外延片封装成发光二极管(LED)器件,研究了其发光性能与激光辐照能量密度和退火气氛的关系.改性后的GaN基LED器件的发光强度最高可增加约37％,说明GaN外延片电学和发光性能的改善将直接影响其封装成LED器件后的发光性能,这对于提高GaN基LED的性能有重要意义.