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报道了两种Nd:Gd VO4主动调Q被动锁模激光器,利用自锁模(KLM)和半导体可饱和吸收耦合输出镜(SOC)锁模两种不同的被动锁模方式,分别与电光(EO)主动调Q元件相结合,获得了稳定的调Q锁模脉冲。主动调Q自锁模脉冲调Q包络重复频率为3 k Hz,包络脉宽约1.2μs,包络下锁模脉冲重复频率为159 MHz,锁模脉宽约963 ps。主动调Q SOC锁模脉冲调Q包络重复频率为10 k Hz,包络脉宽约300 ns,包络下锁模脉冲重复频率为159 MHz,锁模脉宽约491 ps。分别提出了自锁模等效快饱和吸收体损耗和SOC的非线性损耗表达式,并给出了主动调Q自锁模激光器和主动调Q SOC锁模激...
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