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研究不同刻蚀条件下等离子体对钨表面的刻蚀变化,并对其原因进行分析有助于进一步了解其对钨的刻蚀机理,从而为如何提高钨材料的使用寿命提供一定的理论支撑. 采用光纤光谱仪( Avaspec-ULS2048-USB2 )检测在不同放电条件下电子回旋共振( electron cyclotron resonance, ECR)等离子体中受激发的钨原子、钨离子谱线的相对强度,从而根据其谱线的相对强度可以直接地反映出不同刻蚀条件下的等离子体对钨表面刻蚀的强弱规律. 结果表明:偏压越大对钨表面的刻蚀越严重,气压则呈现先增大后减小的趋势;在N2-Ar混合气体中随着N2体积分数的增加对钨的刻蚀逐渐增强;而对比He、N2和Ar三种气体,He等离子体对钨的刻蚀最为严重;在700 W、0. 1 Pa条件下,0～175 V偏压范围的He等离子体对轧制态钨的刻蚀比再结晶态钨严重,而在175 V之后结果却相反.
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北京工业大学学报
ISSN： 0254-0037
Year： 2015
Issue： 12
Volume： 41
Page： 1901-1905
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