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基于专利的氧化锌宽禁带半导体材料技术中外比较
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利用专利对氧化锌宽禁带半导体材料技术的研发实力、技术领域、专利原创性和普遍性态势进行中外比较，根据主要竞争国家的综合竞争地位分析，发现我国该领域技术研发中的问题。研究表明尽管我国的专利增长率不断提高，但高质量专利较少，研发机构竞争实力不足，属于技术相对落后者。最后利用SWOT分析对提高氧化锌宽禁带半导体技术的创新水平给出相应的建议。
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来源 ：
情报杂志
ISSN： 1002-1965
年份： 2015
期： 11
页码： 62-68,149
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