第一性原理计算方法在解释实验现象和预测新材料结构及其性质上有着重要作用.因此,通过基于密度泛函理论的第一性原理的方法,本文系统地研究了Mg和Si掺杂闪锌矿和纤锌矿两种晶体结构的GaN/AlN超晶格体系中的能量稳定性以及电学性质.结果表明:在势阱层(GaN层)中,掺杂原子在体系中的掺杂形成能不随掺杂位置的变化而发生变化,在势垒层(Al　N层)中也是类似的情况,这表明对于掺杂原子来说,替代势垒层(或势阱层)中的任意阳离子都是等同的;然而,相比势阱层和势垒层的掺杂形成能却有很大的不同,并且势阱层的掺杂形成能远低于势垒层的掺杂形成能,即掺杂元素(MgGa,MgAl,SiGa和SiAl)在势阱区域的形成...