利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上制备了Ga　N∶C薄膜。为得到高阻(或半绝缘)的Ga　N薄膜,研究了源(CCl4)流量和载气对MOCVD外延Ga　N薄膜电学性能的影响,发现CCl4流量和载气对实现高阻的Ga　N影响很大。当Ga　N缓冲层采用N2作为载气,CCl4的流量为0.016μmol/min时成功实现了Ga　N的高阻生长,样品A2的方块电阻高达2.8×107Ω/sq。经原子力显微镜(AFM)测试显示,样品的表面形貌较好,粗糙度均在0.3　nm附近,说明C掺杂对外延Ga　N薄膜的表面形貌没有大的影响。低温荧光光谱测试显示黄光峰与刃型位错有关。