本文利用磁控溅射和光刻技术，制备纳米晶Cu薄膜／光刻胶／SiO2／Si复合材料；使用纳米压痕仪对纳米晶Cu薄膜（厚度约50　nm）进行压痕接触变形，结合发展的薄膜转移技术，将纳米晶Cu薄膜压痕区域直接转移到透射电镜（　transmission　electron　microscope，TEM）铜网上对纳米晶Cu薄膜压痕区域进行变形机制研究。结果表明：在＜40nm的晶粒内，形变孪晶是薄膜与压头接触变形的主要途径，通过TEM观察发现形变孪晶是通过晶界发出的不全位错而形成，同时晶粒形状发生变化；发现晶粒内部出现由三个不全位错形成的非共格孪晶现象，共格孪晶部分出现‘台阶’，位错与孪晶发生交互作用。