为改善场终止型绝缘栅双极型晶体管(FS-IGBT)电场终止能力的可靠性,对一种缓变场终止型绝缘栅双极型晶体管(GFS-IGBT)的特性进行了仿真研究.与传统FS-IGBT的突变场终止层不同,GFS-IGBT所具有的场终止层是一个厚度为20～30　μm,峰值掺杂浓度为3.5×1015　cm-3的缓变场终止层.采用Sentaurus　TCAD仿真软件,对600　V/20　A的FS-IGBT与GFS-IG-BT和非穿通型IGBT　(NPT-IGBT)在导通、开关和短路特性等方面进行了对比仿真.结果表明,在给定的参数范围内,GFS-IGBT具有更低的通态压降、良好的关断电压波形以及更小的关断能耗.最后介绍了一种针对600　V　IGBT器件的缓变场终止结构的制造技术.