利用MOCVD方法，在GaAs衬底上生长了不同DBR结构的红光和黄绿光AlGaInP四元外延片，并通过芯片工艺制成芯片。使用X‐射线衍射仪（HRXRD）、光致发光仪（PL）、芯片光电测试仪等表征了外延片和芯片的性能，研究了红光和黄绿光AlGaInP四元外延片的发光强度与DBR结构的关系。结果表明，红光AlGaInP　LED　芯片的发光强度高于黄绿光，其主要原因是黄绿光有源区的内量子效率低和黄绿光DBR具有较小的反射率，从而导致较低的发光强度。本研究为今后L　ED全结构的芯片亮度研究打下良好基础。