利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上制备了GaN∶C薄膜.为得到高阻(或半绝缘)的GaN薄膜,研究了源(CCl4)流量和载气对MOCVD外延GaN薄膜电学性能的影响,发现CCl4流量和载气对实现高阻的GaN影响很大.当GaN缓冲层采用N2作为载气,CCl4的流量为0.016　μmol/min时成功实现了GaN的高阻生长,样品A2的方块电阻高达2.8×107　Ω/sq.经原子力显微镜(AFM)测试显示,样品的表面形貌较好,粗糙度均在0.3　nm附近,说明C掺杂对外延GaN薄膜的表面形貌没有大的影响.低温荧光光谱测试显示黄光峰与刃型位错有关.