In　this　paper,　the　influence　of　Sn　doping　(0%,　8%　and　14%)　on　the　crystallization　of　Ge2Sb2Te5　was　studied　with　the　aid　of　an　ultraviolet　laser.　The　XRD　analyses　revealed　that　the　addition　of　Sn　maintained　the　NaCl-type　structure　of　Ge2Sb2Te5　after　crystallization　but　expanded　the　lattice　parameter　due　to　the　smaller　atomic　radii　of　Ge　replaced　by　Sn.　Raman　peaks　(123,　150　and　110　cm(-1))　moved　towards　lower　wavenumbers　(118,　137　and　104　cm(-1)),　which　can　be　explained　by　the　remarkable　decrease　of　the　binding　energy　from　Ge-Te　to　Sn-Te.　A　remarkable　increase　in　optical　contrast　from　15%　to　40%　was　observed　in　the　Sn-doped　Ge2Sb2Te5　film　after　crystallization　with　both　the　isothermal　annealing　and　laser　radiance.　While　the　optical　contrast　changed　little　for　a　fixed　volume　fraction　of　Sn-doped　sample　with　the　variation　of　laser　fluence　which　is　attributed　to　the　crystallization　mechanism　induced　by　laser　under　different　fluences　is　the　same.　(C)　2014　Elsevier　B.V.　All　rights　reserved.