采用简单的金属有机物沉积方法在自制的Ni-5W基带上成功地制备了Ta掺杂CeO2过渡层.XPS结果表明:在热处理时的还原性气氛中,Ta5+优先于Ce4+被还原为Ta4+,这有利于减少或抑制由于Ce4+被还原而产生的裂纹和孔洞.XRD结果表明除CeO2的衍射峰稍变小外,没有发现新的物相生成,这说明Ta4+部分取代了CeO2晶格中Ce4+的位置生成了Ce0.75Ta0.25O2.Ce0.75Ta0.25O2的ω-扫描和p扫描半高宽带分别是4.38°和6.67°,这表明Ce0.7sTa0.25O2具有良好的面外和面内织构.AES结果表明单层Ce0.75Ta0.25O2的厚度大约为70　nm,在过渡层的表面没有检测到Ni元素,说明该过渡层具有很好的阻止元素扩散的能力.综上说明,Ta掺杂的CeO2过渡层有望成为涂层导体用单层多功能过渡层.